PVD鍍膜與CVD鍍膜的區(qū)別

　PVD：用物理方法(如蒸發(fā)、濺射等)，在高真空環(huán)境下，使鍍膜材料汽化到基體表面，沉積成覆蓋層的方法。
　CVD：在真空環(huán)境中，用化學(xué)方法使氣體在基體材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并形成覆蓋層的方法。

　　區(qū)別：
　　化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD)是反應(yīng)物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，它本質(zhì)上屬于原子范疇的氣態(tài)傳質(zhì)過程。生成固態(tài)物質(zhì)沉積在加熱的固態(tài)基體表面，進而制得固體材料的工藝技術(shù)。

　　與之相對的是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，簡稱PVD)，指利用物理過程實現(xiàn)物質(zhì)轉(zhuǎn)移，將原子或分子由源轉(zhuǎn)移到基材表面上的過程。使得母體具有更好的性能。它的作用是可以使某些有特殊性能（強度高、耐磨性、散熱性、耐腐性等）的微粒噴涂在性能較低的母體上，